Китайские и американские ученые разработали революционный графеновый полупроводник

Тяньцзинь, 8 января /Синьхуа/ -- Совместная команда китайских и американских ученых создала полупроводник, переключатель которого изготовлен из графена - углеродного материала, электронный потенциал которого намного превосходит потенциал кремния.

Графен, двумерный материал, состоящий всего из одного слоя атомов углерода, в настоящее время считается самым перспективным электронным материалом в этой области.

Результаты исследования, проведенного учеными из Тяньцзиньского университета и Технологического института Джорджии /Georgia Institute of Technology/ были опубликованы недавно в журнале Nature.

Закон Мура, утверждающий, что вычислительная мощность микрочипов удваивается каждые два года, в последнее время подвергается сомнению из-за замедления темпов. Это замедление связано с огромными трудностями, возникшими при попытке уменьшить размер чипов на основе кремния до менее чем двух нанометров.

Двумерный графеновый полупроводник может открыть новый путь для высокопроизводительных электронных устройств, выходящих за рамки традиционных технологий на основе кремния, предвещая коренные изменения в электронике, заявил Ма Лэй, автор-корреспондент опубликованной статьи из Тяньцзиньского университета.